RCA clean 製程 | 化學工廠資訊網
![RCA clean 製程](https://i.imgur.com/lO00bdM.jpg)
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半導體晶圓製程中有五大污染物:微粒、金屬不純物、有機污染物、自然生成氧化層及晶圓表面的微粗糙等(圖9)。
五大污染物 來 源 1.微粒 (Particle) 一般來自製程用中所使用的超純水、氣體及化學品,以及機台、晶舟甚至是製程線上的人員。 藉由靜電、凡得瓦爾力、毛細管現象或化學鍵而吸附於晶圓表面,或者陷入晶圓表面細微凹凸而生成的溝渠之中。 2.金屬不純物(Metal Impurity) 主要來自於離子植入(Ion Implantation)、乾式蝕刻(Dry Etch)及光阻灰化(Ash)時,因離子撞擊機台內壁所造成。另外製程環境及化學品與化學品容器本身,也是可能的污染來源之一。 3.有機物(Organic) 有機物為含碳之化合物,大多來自光阻的殘留物,另外牆壁的油漆、幫浦的機油、塑膠容器以及作業員的身體及衣物也都是可能的來源。使用溶劑如丙酮(Acetone),酒精(Alcohol), 或TCE作有機物去除。 4.自然生成氧化層 (Native Oxide) 自然生成氧化層肇因於晶圓表面暴露於空氣或水中的溶氧,而氧將晶圓表面的矽氫鍵(Si-H)氧化成為羥基(Si-OH),或是將矽氧化成為二氧化矽所生成,其中反應的速率與溶氧濃度即浸泡時間有關。 ...
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