ALD | 化學工廠資訊網
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前驅物的價格通常很昂貴,並具有高度毒性,必須進行監控和仔細控制,以避免潛在的危害。ALD的應用.ALD技術可應用於高介電材料(Al2O3、HfO2、 ...
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什麼是原子層沉積(Atomic Layer Deposition,ALD) ?
原子層沉積(Atomic Layer Deposition,ALD)最早稱為原子層磊晶(Atomic Layer Epitaxy,ALE),ALD也是一種化學氣相沉積技術(CVD),與傳統CVD的差異在於:ALD是將一個傳統CVD的反應過程,分成兩個部分的半反應(Half-reactions),每一個半反應只在基板表面發生(Surface reaction only),並且具有自我侷限(Self-limiting)的特性;交替完成兩個半反應後,即形成單一層膜(1~2 Å)的沉積,因此ALD薄膜的成長是控制在單一原子層之厚度區間。
其中,自我侷限的意思為:一次的ALD cycle,只在基板(Substrate)表面成長單一原子層之薄膜;前驅物(Precursor)只在基板上產生單一分子層的吸附,吸附能力主要與表面活性位置(Site)達到飽和狀態有關,並且前驅物之間不會相互發生反應,因此也可稱之為自終止(Self-terminating)氣固反應。
磊晶(Epitaxy)的意思為:在單晶(Single crystal)的基板上成長一層單晶的薄膜。但由於ALD的自我侷限特性,基板不一定須為單晶;而成長出來的薄膜不一定為單晶薄膜,也可為多晶或是非晶(Amorphous)結構。因此,在2000年之後,原子層磊晶(ALE)的說法,才逐漸轉成原子層沉積(ALD)。
發展歷史
1965年蘇聯(USSR)的V.B. Aleskovski教授首先提出分子層表面修飾理論。 1974年芬蘭T. Suntola等人開創出ALE的鍍膜工藝,並成長出硫化鋅(ZnS)薄膜。自此之後,ALD技術獲得科學家的關注。 1977年T. Suntola等人申請了第一篇ALE的專利(U.S. Patent #4,058,430)。 19...原子層沉積系統 | 化學工廠資訊網
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