穩懋半導體股份有限公司 | 化學工廠資訊網
2022年7月27日—穩懋(3105.TW)成立於1999年10月,是亞洲首座以六吋晶圓生產砷化鎵微波通訊晶片的晶圓製造商,自2010年為全球最大砷化鎵晶圓代工廠。
(一)公司簡介
1.沿革與背景
穩懋半導體股份有限公司(3105.TW)成立於1999年10月,是亞洲首座以六吋晶圓生產砷化鎵微波通訊晶片的晶圓製造商,自2010年為全球最大砷化鎵晶圓代工廠。
2016年,公司宣布跨入光通訊市場,並自建EPI,主要提供美國、日本、加拿大客戶客製化一條龍生產服務,包括磊晶、二次磊晶及光電元件製造,材料及元件特性描述、測試服務;其中,磊晶與光電製造能力可供2、4吋的磷化銦基板使用。
2.營業項目與產品結構
公司主要從事砷化鎵微波積體電路(GaAs MMIC)晶圓之代工業務,提供HBT、pHEMT微波積體電路/離散元件與後端製程的晶圓代工服務,應用於高功率基地台、低雜訊放大器(LNA)、射頻切換器(RF Switch)、手機及無線區域網路用功率放大器(PA)與雷達系統上。
2021年公司營收比重:砷化鎵晶圓代工97%、其他3%。
2022Q3產品應用比重:cellular(手機行動網路)佔30-35%、Infrastructure(通訊基礎建設)佔30-35%、Wi-Fi佔5-10%,其他佔26%。
圖片來源:公司網站
(二)產品與競爭條件
1.產品與技術簡介
砷化鎵電晶體製程技術分為三類:
A.異質接面雙極性電晶體(HBT)
B.應變式異質接面高遷移率電晶體(pHEMT)
C.金屬半導體場效電晶體(MESFET)。
公司所提供是HBT和pHEMT,頻譜範圍由1GHz到100GHz,滿足低頻到高頻應用。
射頻模組中的各電路產品中,功率放大器(PA)係以HBT來設計,而微波開關器(RF switch)則利用D-mode pHEMT來設計。
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