鴻海都看好的第三代半導體,14檔概念股出列 | 化學工廠資訊網
![鴻海都看好的第三代半導體,14檔概念股出列](https://i.imgur.com/lO00bdM.jpg)
2021年9月22日—第三代半導體將取代部分第一代和第二代半導體需求,如電源晶片針對不同功率與...的相關概念股有環球晶及其母公司中美晶,還有盛新材料的大股東太極-KY。
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摘要
隨著5G、電動車的發展,中國十四五規畫投入10兆元人民幣發展「第三代半導體」,而台廠也挾帶著半導體產業鏈優勢,引領相關概念股脫穎而出,鴻海董事長劉揚偉更是高喊要打造第三代半導體成為台灣下一個護國神山,連台積電都看好未來10年前景大開,顯見背後龐大的市場商機。
第三代半導體發展超過30年,因為具有耐高電壓、高電流的特性,相比第一代半導體的矽(Si)、鍺(Ge),以及第二代半導體的砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP),第三代半導體的碳化矽(SiC)及氮化鎵(GaN)更適合用來發展電動車、5G、綠能等終端應用。
第三代半導體將取代部分第一代和第二代半導體需求,如電源晶片針對不同功率與應用,低功率持續使用矽製作,高功率體積小使用碳化矽;射頻晶片則針對不同功率與應用,部分繼續使用砷化鎵製作,而高頻率尺寸小則可採用氮化鎵。
SiC功率元件2019~2025年市場規模預估。(資料來源:Yole Développement )
SiC功率元件年複合成長達30%根據市場調研機構Yole Développement的資料顯示,碳化矽功率元件在2019年的全球市場規模約5億4,700萬美元,預估到2025年全球市場規模可達25億6,200萬美元,年複合成長率高達30%,最大的應用在電動車逆變器、轉換器、充電樁,以及太陽能與能源儲存終端應用。
以6吋晶圓來說,碳化矽的價格就大約是矽的50倍, 其中長晶、切割、研磨的基板占碳化矽功率元件成本高達50%,其餘的磊晶占25%、製造占20%、後段封測占5%,因此掌握基板供應量成為發展關鍵,而整合元件製造(IDM)廠由於投入時間較早,發展比代工廠更具優勢。
由於掌握過半基板供應量,碳化矽市場由美日IDM廠商寡占,並使用自研自製的長晶爐,其中碳化矽基板三雄科銳(Cree)、貳陸(II-VI)及羅姆(ROHM)的市占率就高達80%,而中國投入10兆元人民幣力拚...
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