光阻材料與其在基板上形成圖案的方法及半導體裝置的製造方法 | 化學工廠資訊網
![光阻材料與其在基板上形成圖案的方法及半導體裝置的製造方法](https://i.imgur.com/lO00bdM.jpg)
透過化學增幅光阻,光酸產生劑(photoacidgenerator,PAG)於經過輻射曝光後會成為酸。...光阻502可為正型光阻或負型光阻。在一實施例中,光阻502為化學增強光阻。
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本發明係有關於微影技術,且特別是有關於一種含氟光阻的製程。
半導體積體電路(IC)產業經歷了快速成長。積體電路之材料、設計、及製程上的進步代代都演變出比前代更小更複雜的積體電路。在進展的過程中,製程方法、工具、及材料皆持續進步以實現更小特徵尺寸的願望。
微影技術是一將圖案顯影到基板的機制,如一具有感光層形成於其上之半導體晶片。一般而言,輻射穿過圖案化罩幕以產生圖案。雖然微影工具及技術在縮減圖案化元件上的線寬方面,已有顯著進步,目前仍期待更進一步的發展。例如光阻之圖案化特徵輪廓缺乏真實度,以精準複製需要的圖案到基板上。又例如,圖案化步驟及顯影步驟之後,不需要的光阻仍可能殘留;或作為罩幕元件之光阻可能遭移除或損壞。
本發明提供一種光阻材料,包括:一溶劑;一光酸產生劑(PAG);以及一淬滅劑(quencher),其中,前述之光酸產生劑及淬滅劑至少其一含有一氟烷基。
本發明亦提供一種在基板上形成圖案的方法,包括:提供一半導體基板;形成一光阻層於半導體基板上,其中此光阻層包括一擁有一氟原子之第一成份;於形成此光阻層之後,浮起其第一成份至此光阻層的上表面;以及其後,圖案化前述之光阻層。
本發明更提供一種半導體裝置的組裝方法,包括:決定一有關於形成第一特徵之的輪廓問題;決定一能補償上述輪廓問題之光阻配方;形成一使用此光阻配方的光阻層在基板上;以及圖案化此光阻層以提供前述之第一特徵。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂,下文特舉出較佳實施例,並配合所附圖式,作詳細說明如下:
100‧‧‧裝置
102‧‧‧基板
104‧‧‧光阻特徵
106‧‧‧底腳輪廓
200‧‧‧裝置
202‧‧‧T型頂輪廓
300‧‧‧裝置
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