光阻劑 | 化學工廠資訊網
微影根據在顯影過程中曝光區域的去除或保留可分為兩種-正性光阻劑(positivephotoresist)和負性光阻劑(negativephotoresist)。正性光阻劑之曝光部分發生光化學反應 ...
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正性與負性光阻劑的示意圖光阻劑(英語:photoresist),亦稱為光阻或光阻劑,是指經過紫外光、深紫外光、電子束、離子束、X射線等光照或輻射後,溶解度發生變化的耐蝕刻薄膜材料,是微影製程中的關鍵材料,主要應用於積體電路和離散元件的細微圖形加工。
微影的類別[編輯]微影根據在顯影過程中曝光區域的去除或保留可分為兩種-正性光阻劑(positive photoresist)和負性光阻劑(negative photoresist)。
正性光阻劑之曝光部分發生光化學反應會溶於顯影液,而未曝光部份不溶於顯影液,仍然保留在基板上,將與掩膜上相同的圖形複製到基板上。 負性光阻劑之曝光部分因交聯固化而不溶於顯影液,而未曝光部分溶於顯影液,將與掩膜上相反的圖形複製到基板上。 光阻劑組分[編輯]光阻劑通常使用在紫外光波段或更小的波長(小於400奈米)進行曝光。根據使用的不同波長的曝光光源,如KrF(248nm),ArF(193nm)和EUV(13.5nm),相應的光阻劑組分也會有一定的變化。如248nm光阻劑常用聚對羥基苯乙烯及其衍生物為光阻劑主體材料,193nm光阻劑為聚酯環族丙烯酸酯及其共聚物,EUV光阻劑常用聚酯衍生物和分子玻璃單組分材料等為主體材料。除主體材料外,光阻劑一般還會添加光阻劑溶劑,光致產酸劑,交聯劑或其他添加劑等。
電子束曝光[編輯] 化學放大光阻劑[編輯]20世紀80年代初,基於化學放大概念的微影過程大大加快了微影技術的發展。化學放大是指在紫外光的作用下,通過光致產酸劑(Photo...
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